獲取試驗(yàn)方案?獲取試驗(yàn)報(bào)價(jià)?獲取試驗(yàn)周期?
注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測試望見諒。
微電路 數(shù)字 抗輻射 先進(jìn)的CMOS 16位并行錯(cuò)誤檢測和校正電路 三態(tài)輸出 單片硅(取代DSCC 06239)
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2007-04-17
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【CCS分類】航天用液壓元件與附件
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【ICS分類】航空航天制造用零部件
CMOS集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2021-12-31
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【CCS分類】V29半導(dǎo)體光敏器件
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【ICS分類】49.035集成電路、微電子學(xué)
微電路 數(shù)字 抗輻射 先進(jìn)的CMOS 16位并行錯(cuò)誤檢測和校正電路 三態(tài)輸出 單片硅(S/S由DSCC 06239A提供)
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2006-12-21
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【CCS分類】
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【ICS分類】
集成電路 CMOS圖像傳感器測試方法
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【發(fā)布單位或類別】 CN-GB國家標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2023-09-07
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【CCS分類】L54
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【ICS分類】31.200
微電路 數(shù)字 高級CMOS 帶奇偶校驗(yàn)發(fā)生器/檢測器的9位可鎖存收發(fā)器 帶非反相三態(tài)輸出 TTL兼容(由DSCC 5962-93141A提供S/S)
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】1993-04-16
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【CCS分類】
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【ICS分類】
半導(dǎo)體集成電路CMOS門陣列器件規(guī)范
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【發(fā)布單位或類別】 CN-SJ行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子
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【發(fā)布日期】1999-11-10
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【CCS分類】
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【ICS分類】
軍用CMOS電路用抗幅射硅單晶片規(guī)范
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【發(fā)布單位或類別】 CN-SJ行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-電子
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【發(fā)布日期】1999-11-10
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【CCS分類】
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【ICS分類】
半導(dǎo)體集成電路CMOS數(shù)字門陣列詳細(xì)規(guī)范
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【發(fā)布單位或類別】 CN-QJ行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-航天
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【發(fā)布日期】1997-03-03
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/657A Notice 3-Validation 3
微電路 數(shù)字 高速CMOS 緩沖門 單片硅
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2020-09-18
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/58D Notice 3-Validation 3
微電路 數(shù)字 CMOS 開關(guān) 單片硅 正邏輯
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2019-04-15
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【CCS分類】
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【ICS分類】
微電路 數(shù)字CMOS 定點(diǎn)處理器 單片硅
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】1992-10-14
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/657A Notice 2-Validation 2
微電路 數(shù)字 高速CMOS 緩沖門 單片硅
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2015-12-03
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【CCS分類】
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【ICS分類】
用于TTL-TO-CMOS或CMOS-TOCMOS操作、單片硅(取代DSCC 5962-96665C)的抗輻射CMOS六角電壓電平移位器數(shù)字微電路
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2005-09-08
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/58D Notice 2-Validation
微電路 數(shù)字 CMOS 開關(guān) 單片硅 正邏輯
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2014-06-25
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/52E Notice 3-Validation 3
微電路 數(shù)字 CMOS NOR門 單片硅 正邏輯
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2019-04-15
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/50F Notice 3-Validation 3
微電路 數(shù)字 CMOS Nand Gates 單片硅 正邏輯
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2019-03-13
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/754B Notice 3-Validation 3
微電路 數(shù)字 高級CMOS 鎖存器 單片硅
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2019-08-21
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/123B Notice 3-Validation 3
微電路 線性 Cmos 負(fù)邏輯 模擬開關(guān) 單片硅
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2018-09-19
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/171C Notice 3-Validation 3
微電路 數(shù)字 CMOS 或門 單片硅 正邏輯
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2018-06-20
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【CCS分類】
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【ICS分類】
MIL MIL-M-38510/170C Notice 3-Validation 3
微電路 數(shù)字 CMOS和門 單片硅 正邏輯
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【發(fā)布單位或類別】 US-MIL美國軍事規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)
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【發(fā)布日期】2018-10-26
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【CCS分類】
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【ICS分類】
實(shí)驗(yàn)儀器
測試流程

注意事項(xiàng)
1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。
2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考,因?yàn)槊總€(gè)樣品和項(xiàng)目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。
3.關(guān)于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。
4.加急試驗(yàn)周期一般是五個(gè)工作日左右,部分樣品有所差異
5.如果對于(檢測cmos壞點(diǎn)的檢測標(biāo)準(zhǔn))還有什么疑問,可以咨詢我們的工程師為您一一解答。