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注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試望見諒。
可控硅檢測標(biāo)準(zhǔn)詳解
一、檢測樣品
可控硅(晶閘管)檢測的樣品主要包括不同型號的單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)、門極可關(guān)斷可控硅(GTO)等。樣品需涵蓋常規(guī)封裝形式(如TO-220、TO-247、SMD貼片等)及不同電流/電壓規(guī)格(如5A/600V、20A/1200V等)。
二、檢測項目
可控硅的核心檢測項目分為以下幾類:
- 電氣性能測試
- 正向/反向耐壓測試(VDRM/VRRM)
- 觸發(fā)電流(IGT)與觸發(fā)電壓(VGT)
- 維持電流(IH)與通態(tài)電壓降(VT)
- 斷態(tài)漏電流(IDRM/IRRM)
- 熱性能測試
- 結(jié)溫耐受能力(Tj max)
- 熱阻測試(Rth)
- 動態(tài)特性測試
- 開通時間(Ton)與關(guān)斷時間(Toff)
- 電壓上升率(dv/dt)耐受能力
- 可靠性測試
- 高溫高濕存儲試驗
- 溫度循環(huán)沖擊試驗
- 機(jī)械振動/沖擊測試
三、檢測方法
- 電氣性能檢測
- 使用可控硅測試儀或?qū)S秒娐罚ㄟ^施加標(biāo)準(zhǔn)電壓/電流信號,測量器件的導(dǎo)通、關(guān)斷特性及漏電流等參數(shù)。
- 觸發(fā)特性測試需在恒溫條件下進(jìn)行,避免環(huán)境溫度波動影響結(jié)果。
- 熱性能檢測
- 結(jié)溫測試采用熱電偶或紅外熱成像儀,結(jié)合功率加載設(shè)備模擬實際工況。
- 熱阻測試需通過加熱器與散熱器配合,記錄溫升曲線并計算熱阻值。
- 動態(tài)特性檢測
- 利用脈沖發(fā)生器與示波器捕捉器件在開關(guān)過程中的電壓/電流波形,分析開通與關(guān)斷時間。
- 可靠性檢測
- 高溫高濕試驗需在恒溫恒濕箱中持續(xù)運行(如85℃/85%RH,1000小時),測試后復(fù)測電氣參數(shù)。
- 機(jī)械測試依據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(如IEC 60068-2)執(zhí)行振動與沖擊試驗。
四、檢測儀器
- 電氣參數(shù)測試儀:Keysight B1505A、Tektronix 371B(用于耐壓、觸發(fā)電流等測試)。
- 示波器與信號發(fā)生器:Rigol DS8000系列、Keysight 33500B(動態(tài)特性分析)。
- 熱性能測試設(shè)備:Fluke Ti480紅外熱像儀、Chauvin Arnoux C.A 1836功率分析儀。
- 環(huán)境試驗箱:ESPEC高低溫濕熱試驗箱、振動臺(滿足IEC標(biāo)準(zhǔn))。
- 輔助工具:恒流源、精密萬用表(如Agilent 34401A)、顯微鏡(檢查封裝缺陷)。
五、結(jié)語
可控硅的檢測需嚴(yán)格遵循國際標(biāo)準(zhǔn)(如IEC 60747、JEDEC JESD22)或企業(yè)內(nèi)控規(guī)范,確保器件在電力電子系統(tǒng)中的穩(wěn)定性和壽命。通過科學(xué)的檢測流程與高精度儀器,可有效篩選出性能優(yōu)異的產(chǎn)品,降低應(yīng)用風(fēng)險。
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實驗儀器
測試流程

注意事項
1.具體的試驗周期以工程師告知的為準(zhǔn)。
2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗方案僅供參考,因為每個樣品和項目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。
3.關(guān)于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。
4.加急試驗周期一般是五個工作日左右,部分樣品有所差異
5.如果對于(可控硅檢測檢測標(biāo)準(zhǔn))還有什么疑問,可以咨詢我們的工程師為您一一解答。