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電遷移壽命預(yù)測

原創(chuàng)發(fā)布者:北檢院    發(fā)布時間:2025-09-19     點擊數(shù):

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注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試望見諒。

信息概要

電遷移壽命預(yù)測是針對電子元器件在電流作用下原子遷移導(dǎo)致的失效進(jìn)行壽命評估的重要檢測項目。該項目通過模擬產(chǎn)品在實際工作條件下的電流負(fù)載,評估其可靠性和耐久性,幫助制造商識別潛在缺陷,提升產(chǎn)品質(zhì)量和安全性。檢測服務(wù)涵蓋多種參數(shù)和方法,確保結(jié)果準(zhǔn)確可靠,符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和要求。檢測的重要性在于預(yù)防早期故障,延長產(chǎn)品使用壽命,支持研發(fā)和改進(jìn)過程,最終保障終端應(yīng)用的穩(wěn)定性。

檢測項目

電流密度測試,溫度系數(shù)評估,電壓應(yīng)力測試,遷移速率測量,失效時間測定,平均失效時間計算,激活能分析,電阻變化率監(jiān)測,晶粒尺寸分析,界面擴散系數(shù)評估,應(yīng)力遷移指數(shù)測試,黑化時間測定,電遷移速率評估,壽命分布分析,可靠性評估,故障分析,材料成分檢測,結(jié)構(gòu)完整性檢查,熱穩(wěn)定性測試,環(huán)境測試,加速壽命測試,電流負(fù)載測試,溫度循環(huán)測試,濕度影響評估,氧化層分析,金屬化層檢查,焊點可靠性,封裝完整性,引線鍵合強度,熱阻測量

檢測范圍

集成電路,微處理器,存儲器芯片,邏輯器件,模擬器件,功率半導(dǎo)體,互連線路,焊點,封裝器件,引線框架,芯片貼裝,二極管,晶體管,電阻器,電容器,電感器,傳感器,放大器,轉(zhuǎn)換器,射頻器件,光電子器件,微機電系統(tǒng),印刷電路板,半導(dǎo)體封裝,電子組件,連接器,導(dǎo)線,薄膜電路,厚膜電路,混合集成電路

檢測方法

恒流測試法:通過施加恒定電流,監(jiān)測電阻變化以確定失效時間和壽命。

溫度加速測試:在升高溫度條件下進(jìn)行測試,加速電遷移過程,縮短評估時間。

結(jié)構(gòu)觀察法:使用顯微鏡技術(shù)觀察材料遷移和結(jié)構(gòu)變化,分析失效機制。

電阻監(jiān)測法:連續(xù)測量電阻值變化,推斷電遷移進(jìn)展和產(chǎn)品可靠性。

熱循環(huán)測試:通過溫度循環(huán)加載,評估產(chǎn)品在熱應(yīng)力下的電遷移行為。

加速壽命測試:應(yīng)用高電流或溫度條件,預(yù)測正常使用下的壽命分布。

失效分析術(shù):對失效樣品進(jìn)行解剖和檢查,確定電遷移根源和模式。

模擬仿真法:利用計算機模型模擬電遷移過程,輔助實驗數(shù)據(jù)驗證。

環(huán)境測試:在特定環(huán)境條件下進(jìn)行測試,評估濕度、氣氛對電遷移的影響。

應(yīng)力測試:施加機械或電氣應(yīng)力,綜合評估產(chǎn)品耐受性和壽命。

黑化時間法:監(jiān)測材料黑化現(xiàn)象的時間點,作為失效指示參數(shù)。

遷移率測量:計算原子遷移速率,用于壽命模型建立和預(yù)測。

界面分析:檢查材料界面擴散情況,評估連接可靠性和缺陷。

晶粒尺寸法:分析金屬晶粒尺寸變化,關(guān)聯(lián)電遷移速率和壽命。

激活能測定:通過溫度變化計算激活能,用于加速測試參數(shù)設(shè)定。

檢測儀器

掃描電子顯微鏡,透射電子顯微鏡,四探針測試儀,源測量單元,高溫試驗箱,顯微鏡,能譜儀,熱分析儀,環(huán)境試驗箱,電流源,電壓表,電阻測量儀,溫度控制器,應(yīng)力加載設(shè)備,失效分析系統(tǒng)

實驗儀器

實驗室儀器 實驗室儀器 實驗室儀器 實驗室儀器

測試流程

電遷移壽命預(yù)測流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗方案僅供參考,因為每個樣品和項目都有所不同,所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于(樣品量)的需求,最好是先咨詢我們的工程師確定,避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右,部分樣品有所差異

5.如果對于(電遷移壽命預(yù)測)還有什么疑問,可以咨詢我們的工程師為您一一解答。

  • 服務(wù)保障 一對一品質(zhì)服務(wù)
  • 定制方案 提供非標(biāo)定制試驗方案
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  • 全國取樣/寄樣 全國上門取樣/寄樣/現(xiàn)場試驗
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