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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個(gè)人委托測(cè)試望見(jiàn)諒。

信息概要

半導(dǎo)體晶圓靜電積聚測(cè)試是評(píng)估晶圓在生產(chǎn)、運(yùn)輸和存儲(chǔ)過(guò)程中靜電積聚情況的重要檢測(cè)項(xiàng)目。靜電積聚可能導(dǎo)致晶圓表面吸附顆粒、電路損壞或性能下降，嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量和良率。通過(guò)專業(yè)的靜電測(cè)試，可以有效預(yù)防靜電相關(guān)缺陷，確保半導(dǎo)體制造過(guò)程的穩(wěn)定性和可靠性。本檢測(cè)服務(wù)由第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)提供，涵蓋多種晶圓類型和靜電參數(shù)，為客戶提供全面、準(zhǔn)確的測(cè)試報(bào)告。

檢測(cè)項(xiàng)目

表面電阻率,體積電阻率,靜電衰減時(shí)間,靜電電壓,電荷量,電場(chǎng)強(qiáng)度,靜電屏蔽效果,表面電位分布,電荷密度,靜電放電能量,靜電敏感度,靜電吸附力,環(huán)境濕度影響,溫度影響,材料成分分析,表面粗糙度,介電常數(shù),擊穿電壓,漏電流,絕緣電阻

檢測(cè)范圍

硅晶圓,砷化鎵晶圓,碳化硅晶圓,氮化鎵晶圓,SOI晶圓,藍(lán)寶石晶圓,玻璃晶圓,聚合物晶圓,金屬基晶圓,陶瓷基晶圓,柔性晶圓,超薄晶圓,大尺寸晶圓,小尺寸晶圓,高阻晶圓,低阻晶圓,拋光晶圓,粗糙晶圓,圖案化晶圓,裸晶圓

檢測(cè)方法

表面電阻測(cè)試法：通過(guò)四探針?lè)y(cè)量晶圓表面電阻。

體積電阻測(cè)試法：采用三電極系統(tǒng)測(cè)量晶圓體積電阻。

靜電衰減測(cè)試法：記錄靜電荷衰減至特定比例所需時(shí)間。

非接觸式電位測(cè)量法：使用靜電電位計(jì)測(cè)量表面電位。

電荷量測(cè)試法：通過(guò)法拉第杯測(cè)量晶圓攜帶的總電荷量。

電場(chǎng)映射法：掃描晶圓表面獲取電場(chǎng)分布圖。

靜電放電測(cè)試法：模擬ESD事件評(píng)估晶圓抗靜電能力。

濕度影響測(cè)試法：在不同濕度條件下測(cè)量靜電參數(shù)。

溫度循環(huán)測(cè)試法：評(píng)估溫度變化對(duì)靜電積聚的影響。

材料成分分析法：通過(guò)EDS/XPS等技術(shù)分析表面成分。

表面形貌分析法：使用AFM或輪廓儀測(cè)量表面粗糙度。

介電常數(shù)測(cè)試法：通過(guò)電容法測(cè)量材料的介電特性。

擊穿電壓測(cè)試法：逐步增加電壓直至材料擊穿。

漏電流測(cè)試法：在施加電壓下測(cè)量微小漏電流。

絕緣電阻測(cè)試法：測(cè)量材料在高壓下的絕緣性能。

檢測(cè)儀器

四探針電阻測(cè)試儀,靜電電位計(jì),法拉第杯系統(tǒng),非接觸式表面電位測(cè)量?jī)x,靜電衰減測(cè)試儀,電場(chǎng)映射掃描儀,ESD模擬器,環(huán)境試驗(yàn)箱,高阻計(jì),介電常數(shù)測(cè)試儀,擊穿電壓測(cè)試儀,漏電流測(cè)試儀,原子力顯微鏡,X射線光電子能譜儀,掃描電子顯微鏡

實(shí)驗(yàn)儀器

測(cè)試流程

注意事項(xiàng)

1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考，因?yàn)槊總€(gè)樣品和項(xiàng)目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗(yàn)周期一般是五個(gè)工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對(duì)于（半導(dǎo)體晶圓靜電積聚測(cè)試）還有什么疑問(wèn)，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。