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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個人委托測試望見諒。

信息概要

氮化硅陶瓷片是一種具有高硬度、耐高溫、耐腐蝕、絕緣性好等優(yōu)異特性的先進(jìn)陶瓷材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓承載、航空航天發(fā)動機(jī)部件、電子封裝散熱基板、光學(xué)設(shè)備鏡頭組件、醫(yī)療器械手術(shù)器械等高端領(lǐng)域。剝離強(qiáng)度作為氮化硅陶瓷片的關(guān)鍵性能指標(biāo)，主要反映其表面涂層（或薄膜）與基底之間的結(jié)合強(qiáng)度，直接關(guān)系到產(chǎn)品在使用過程中是否會出現(xiàn)涂層剝離、失效等問題。對于半導(dǎo)體、航空航天等對可靠性要求極高的行業(yè)，剝離強(qiáng)度檢測是保障產(chǎn)品質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)——它能有效預(yù)測產(chǎn)品的使用壽命，防止因涂層剝離導(dǎo)致的下游設(shè)備故障（如晶圓劃傷、發(fā)動機(jī)部件失效），同時幫助企業(yè)符合ISO、ASTM、GB等相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，提升產(chǎn)品競爭力。

檢測項目

剝離強(qiáng)度：檢測氮化硅陶瓷片表面涂層或薄膜與基底之間的結(jié)合強(qiáng)度，是評估產(chǎn)品可靠性的核心指標(biāo)，直接影響其在復(fù)雜環(huán)境中的使用壽命。

維氏硬度：通過顯微硬度計測量氮化硅陶瓷片的表面硬度，反映材料的抗壓痕能力，是其耐磨性能的重要參考。

密度：采用阿基米德法測量氮化硅陶瓷片的體積密度和顯密度，評估材料的致密性，致密性越高通常強(qiáng)度越好。

抗彎強(qiáng)度：通過三點彎曲試驗機(jī)測試氮化硅陶瓷片在彎曲載荷下的斷裂強(qiáng)度，反映其抗彎曲變形能力，適用于結(jié)構(gòu)件應(yīng)用。

抗壓強(qiáng)度：采用壓力試驗機(jī)測試氮化硅陶瓷片在軸向壓力下的破壞強(qiáng)度，評估其抗壓縮變形能力，適用于高壓環(huán)境部件。

斷裂韌性：通過單邊缺口梁法（SNLB）測試氮化硅陶瓷片的斷裂韌性（KIC），反映材料抵抗裂紋擴(kuò)展的能力，是脆性材料的關(guān)鍵性能指標(biāo)。

熱膨脹系數(shù)：利用熱機(jī)械分析法（TMA）測量氮化硅陶瓷片在溫度變化時的長度變化，計算熱膨脹系數(shù)，確保其與匹配材料的熱兼容性。

熱導(dǎo)率：通過激光閃光法測試氮化硅陶瓷片的熱導(dǎo)率，反映其導(dǎo)熱能力，適用于電子封裝、散熱基板等應(yīng)用。

耐高溫性：將氮化硅陶瓷片置于高溫爐中，施加恒定載荷，測試其在高溫下的持久強(qiáng)度，評估其在高溫環(huán)境中的性能保持能力。

耐腐蝕性能：通過浸泡法將氮化硅陶瓷片置于酸堿鹽等腐蝕介質(zhì)中，測量質(zhì)量變化、強(qiáng)度變化或表面形貌變化，評估其抗腐蝕能力。

表面粗糙度：采用原子力顯微鏡（AFM）或表面輪廓儀測試氮化硅陶瓷片的表面粗糙度（如Ra、Rz），影響涂層附著力、摩擦性能等。

涂層厚度：利用渦流測厚法或X射線熒光法（XRF）測試氮化硅陶瓷片表面涂層的厚度，確保涂層符合設(shè)計要求。

界面結(jié)合強(qiáng)度：通過劃痕法測試氮化硅陶瓷片涂層與基底的界面結(jié)合強(qiáng)度，記錄臨界載荷（涂層開始剝離時的載荷），評估界面可靠性。

拉伸強(qiáng)度：采用萬能材料試驗機(jī)測試氮化硅陶瓷片的軸向拉伸強(qiáng)度，反映其抗拉伸變形能力（適用于韌性較好的氮化硅陶瓷片）。

沖擊強(qiáng)度：通過擺錘沖擊試驗機(jī)測試氮化硅陶瓷片的沖擊強(qiáng)度，評估其抗沖擊載荷能力，適用于承受沖擊的部件。

電阻率：采用四探針法測試氮化硅陶瓷片的電阻率，反映其導(dǎo)電性能，適用于電子絕緣或?qū)щ姂?yīng)用。

介電常數(shù)：通過平行板電容法測試氮化硅陶瓷片的介電常數(shù)（εr），評估其作為電介質(zhì)的儲存電荷能力，適用于電子器件。

介電損耗：利用阻抗分析儀測試氮化硅陶瓷片的介電損耗角正切值（tanδ），反映其在電場中的能量損耗，適用于高頻電子應(yīng)用。

耐磨損性能：通過銷盤磨損試驗機(jī)測試氮化硅陶瓷片的磨損率（如質(zhì)量損失、體積損失），評估其抗磨損能力，適用于軸承、密封件等部件。

孔隙率：采用水銀壓入法或氣體吸附法測試氮化硅陶瓷片的孔隙率和孔徑分布，孔隙率越高通常強(qiáng)度和耐腐蝕性能越差。

水分含量：通過干燥法將氮化硅陶瓷片置于干燥箱中加熱至恒定質(zhì)量，計算質(zhì)量損失率，評估其水分含量，防止吸水導(dǎo)致性能下降。

尺寸偏差：采用激光測徑儀或千分尺測試氮化硅陶瓷片的長度、寬度、厚度等尺寸，與標(biāo)稱尺寸比較，計算尺寸偏差，確保符合公差要求。

平面度：利用平面度測量儀測試氮化硅陶瓷片的表面平面度，反映其表面平整程度，適用于光學(xué)、半導(dǎo)體等高精度應(yīng)用。

垂直度：采用垂直度檢查儀測試氮化硅陶瓷片邊與面的垂直度，確保部件裝配時的尺寸精度。

彎曲度：通過百分表或激光測量儀測試氮化硅陶瓷片的彎曲度，評估其形狀誤差，防止裝配時出現(xiàn)應(yīng)力集中。

抗壓彈性模量：采用壓力試驗機(jī)測試氮化硅陶瓷片在壓縮載荷下的彈性變形，計算抗壓彈性模量，反映其彈性變形能力。

抗彎彈性模量：通過三點彎曲試驗機(jī)測試氮化硅陶瓷片在彎曲載荷下的彈性變形，計算抗彎彈性模量，反映其彎曲時的彈性性能。

熱穩(wěn)定性：將氮化硅陶瓷片反復(fù)加熱冷卻（熱循環(huán)），測試其強(qiáng)度、尺寸或形貌變化，評估其熱穩(wěn)定性，適用于溫度波動環(huán)境。

抗熱震性：通過急冷急熱試驗（如將試樣從高溫爐中取出放入冷水），測試氮化硅陶瓷片的抗熱震能力，評估其承受溫度突變的能力。

化學(xué)成分：采用X射線衍射儀（XRD）或電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（ICP-OES）測試氮化硅陶瓷片的化學(xué)成分（如Si3N4含量、雜質(zhì)元素（O、C、Fe等）），確保符合材料標(biāo)準(zhǔn)。

顯微結(jié)構(gòu)：通過掃描電子顯微鏡（SEM）或透射電子顯微鏡（TEM）觀察氮化硅陶瓷片的顯微結(jié)構(gòu)（如晶粒大小、分布、晶界相），評估其燒結(jié)質(zhì)量。

燒結(jié)密度：采用排水法或比重瓶法測試氮化硅陶瓷片的燒結(jié)密度，反映其燒結(jié)程度，燒結(jié)密度越高通常性能越好。

檢測范圍

半導(dǎo)體用氮化硅陶瓷片（晶圓承載片、刻蝕機(jī)部件），航空航天用氮化硅陶瓷片（發(fā)動機(jī)渦輪葉片、衛(wèi)星結(jié)構(gòu)部件），電子封裝用氮化硅陶瓷片（散熱基板、引線框架），光學(xué)設(shè)備用氮化硅陶瓷片（鏡頭部件、鍍膜基底），醫(yī)療器械用氮化硅陶瓷片（手術(shù)器械、植入式器件），新能源用氮化硅陶瓷片（電池組件、燃料電池電解質(zhì)基板），傳感器用氮化硅陶瓷片（壓力傳感器外殼、高溫傳感器部件），耐磨部件用氮化硅陶瓷片（軸承、密封件、導(dǎo)軌），高溫爐用氮化硅陶瓷片（爐膛部件、加熱元件支架），化學(xué)工業(yè)用氮化硅陶瓷片（腐蝕環(huán)境泵體、反應(yīng)釜部件），汽車工業(yè)用氮化硅陶瓷片（發(fā)動機(jī)活塞、氣門、排氣管部件），通信設(shè)備用氮化硅陶瓷片（濾波器部件、天線基板），激光設(shè)備用氮化硅陶瓷片（激光腔部件、反射鏡基底），MEMS用氮化硅陶瓷片（微機(jī)電系統(tǒng)部件、傳感器芯片），光伏設(shè)備用氮化硅陶瓷片（光伏電池基板、太陽能板部件），國防軍工用氮化硅陶瓷片（武器部件、防彈裝甲），生物醫(yī)學(xué)用氮化硅陶瓷片（ dental implants、人工關(guān)節(jié)），電力設(shè)備用氮化硅陶瓷片（絕緣部件、高壓開關(guān)部件），精密機(jī)械用氮化硅陶瓷片（滑塊、絲杠），燃料電池用氮化硅陶瓷片（質(zhì)子交換膜基板、雙極板），半導(dǎo)體封裝用氮化硅陶瓷片（BGA基板、CSP基板），光學(xué)鍍膜用氮化硅陶瓷片（增透膜基底、反射膜基底），高溫傳感器用氮化硅陶瓷片（熱電偶保護(hù)管、紅外傳感器外殼），化學(xué)泵用氮化硅陶瓷片（泵葉輪、泵軸套），航空發(fā)動機(jī)用氮化硅陶瓷片（燃燒室部件、尾噴管部件），電子顯示器用氮化硅陶瓷片（OLED面板基板、LCD背光部件），核工業(yè)用氮化硅陶瓷片（核反應(yīng)堆控制棒部件、放射性廢物容器），農(nóng)業(yè)機(jī)械用氮化硅陶瓷片（耐磨犁尖、播種機(jī)部件），海洋工程用氮化硅陶瓷片（海水淡化設(shè)備部件、海底管道部件）。

檢測方法

剝離強(qiáng)度測試（180°/90°剝離法）：采用萬能材料試驗機(jī)，將氮化硅陶瓷片表面涂層與基底以180°或90°角度勻速分離，記錄所需力值，計算單位寬度的剝離強(qiáng)度（N/mm）。

維氏硬度測試：通過顯微硬度計將金剛石正四棱錐壓頭壓入氮化硅陶瓷片表面，保持一定載荷后卸載，測量壓痕對角線長度，計算維氏硬度（HV）。

密度測試（阿基米德法）：測量氮化硅陶瓷片的干燥質(zhì)量（m1）、水中質(zhì)量（m2）和飽和表面干質(zhì)量（m3），通過公式計算體積密度（ρ= m1/(m3 - m2)）和顯密度（ρ= m1/(m1 - m2)）。

抗彎強(qiáng)度測試（三點彎曲法）：將氮化硅陶瓷片置于兩個支撐點（跨度L）之間，在中間施加勻速載荷，記錄斷裂時的最大載荷（P），計算抗彎強(qiáng)度（σ= 3PL/(2bh2)，其中b為試樣寬度，h為試樣厚度）。

抗壓強(qiáng)度測試：采用壓力試驗機(jī)對氮化硅陶瓷片（通常為圓柱或立方體試樣）施加軸向勻速壓力，記錄破壞時的最大壓力（P），計算抗壓強(qiáng)度（σ= P/A，其中A為試樣受力面積）。

斷裂韌性測試（單邊缺口梁法，SNLB）：在氮化硅陶瓷片上預(yù)制單邊缺口（缺口深度為試樣厚度的1/3~1/2），通過三點彎曲加載，記錄斷裂時的載荷（P），計算斷裂韌性（KIC= (3PL/(2bh2)) * √(a) * Y，其中a為缺口深度，Y為形狀因子）。

熱膨脹系數(shù)測試（熱機(jī)械分析法，TMA）：將氮化硅陶瓷片固定在TMA儀器的樣品臺上，以恒定速率加熱（如5℃/min），測量其長度隨溫度的變化，計算熱膨脹系數(shù)（α= ΔL/(L0ΔT)，其中ΔL為長度變化，L0為初始長度，ΔT為溫度變化）。

熱導(dǎo)率測試（激光閃光法）：用激光脈沖快速加熱氮化硅陶瓷片的一面，通過紅外探測器測量另一面的溫度上升曲線，計算熱導(dǎo)率（λ= (d2ρc)/(4t1/2)，其中d為試樣厚度，ρ為密度，c為比熱容，t1/2為溫度上升到最大值一半的時間）。

耐高溫性測試（高溫持久強(qiáng)度測試）：將氮化硅陶瓷片置于高溫爐（如1200℃）中，施加恒定載荷（如100MPa），記錄斷裂時間，評估其在高溫下的持久強(qiáng)度。

耐腐蝕性能測試（浸泡法）：將氮化硅陶瓷片浸泡在腐蝕介質(zhì)（如5%H2SO4溶液、10%NaOH溶液）中，在一定溫度（如25℃）下放置一定時間（如240h），取出后測量質(zhì)量變化（Δm= m后 - m前）、強(qiáng)度變化（Δσ= σ后 - σ前）或用SEM觀察表面形貌變化。

表面粗糙度測試（原子力顯微鏡，AFM）：通過AFM的探針掃描氮化硅陶瓷片表面，獲取表面形貌的三維數(shù)據(jù)，計算粗糙度參數(shù)（如Ra（算術(shù)平均偏差）、Rz（十點平均粗糙度））。

涂層厚度測試（渦流測厚法）：利用渦流效應(yīng)，將探頭靠近氮化硅陶瓷片表面涂層，測量涂層與基底之間的電磁感應(yīng)變化，計算涂層厚度（適用于導(dǎo)電涂層）。

界面結(jié)合強(qiáng)度測試（劃痕法）：用劃痕儀的金剛石針尖在氮化硅陶瓷片涂層表面劃刻，逐漸增加載荷，記錄臨界載荷（涂層開始剝離時的載荷），評估界面結(jié)合強(qiáng)度。

拉伸強(qiáng)度測試：將氮化硅陶瓷片制成啞鈴狀或柱狀試樣，采用萬能材料試驗機(jī)施加軸向勻速拉伸載荷，記錄破壞時的最大載荷，計算拉伸強(qiáng)度（σ= P/A，其中A為試樣橫截面面積）。

沖擊強(qiáng)度測試（擺錘沖擊法）：用擺錘沖擊試驗機(jī)的擺錘從一定高度落下，沖擊氮化硅陶瓷片試樣（通常為帶缺口的試樣），記錄沖擊能量，計算沖擊強(qiáng)度（a= E/A，其中E為沖擊能量，A為試樣受力面積）。

電阻率測試（四探針法）：將四個等間距的探針接觸氮化硅陶瓷片表面，施加恒定電流（I），測量中間兩個探針之間的電壓（V），計算電阻率（ρ= (πd/ln2) * (V/I)，其中d為探針間距）。

介電常數(shù)測試（平行板電容法）：將氮化硅陶瓷片置于兩個平行金屬板之間，形成電容，測量電容值（C），計算介電常數(shù)（εr= C*d/(ε0*A)，其中d為試樣厚度，ε0為真空介電常數(shù)，A為極板面積）。

介電損耗測試（介質(zhì)損耗角正切法）：通過阻抗分析儀測量氮化硅陶瓷片的介質(zhì)損耗角正切值（tanδ），即介電損耗與介電儲能的比值，反映其在電場中的能量損耗。

耐磨損性能測試（銷盤磨損試驗機(jī)）：將氮化硅陶瓷片作為圓盤試樣，與摩擦副（如鋼銷）接觸，施加恒定載荷（F）并旋轉(zhuǎn)（轉(zhuǎn)速n），一定時間后測量試樣的質(zhì)量損失（Δm），計算磨損率（W= Δm/(F*L)，其中L為摩擦距離）。

孔隙率測試（水銀壓入法）：將氮化硅陶瓷片置于水銀壓入儀中，逐漸增加壓力（從低壓到高壓），測量水銀侵入試樣孔隙的體積，計算孔隙率（孔隙體積占試樣總體積的百分比）和孔徑分布。

水分含量測試（干燥法）：將氮化硅陶瓷片置于干燥箱中（溫度105℃±5℃），加熱至質(zhì)量恒定（前后兩次質(zhì)量差≤0.1%），計算質(zhì)量損失率（Δm%= (m0 - m1)/m0 * 100%，其中m0為初始質(zhì)量，m1為干燥后質(zhì)量）。

尺寸偏差測試（激光測徑儀/千分尺）：采用激光測徑儀（高精度）或千分尺（常規(guī)）測量氮化硅陶瓷片的長度、寬度、厚度等尺寸，與標(biāo)稱尺寸比較，計算尺寸偏差（ΔL= L實測 - L標(biāo)稱）。

檢測儀器

萬能材料試驗機(jī)，顯微硬度計，阿基米德密度測試儀，三點彎曲試驗機(jī)，壓力試驗機(jī)，斷裂韌性測試儀（單邊缺口梁裝置），熱機(jī)械分析儀（TMA），激光閃光法熱導(dǎo)率測試儀，高溫爐（箱式電阻爐/感應(yīng)爐），腐蝕試驗箱（酸堿鹽浸泡箱），原子力顯微鏡（AFM），渦流測厚儀，劃痕儀，擺錘沖擊試驗機(jī)，四探針電阻率測試儀，阻抗分析儀，銷盤磨損試驗機(jī)，水銀壓入孔隙率測試儀，干燥箱（電熱恒溫干燥箱），激光測徑儀，千分尺，掃描電子顯微鏡（SEM），X射線衍射儀（XRD），電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（ICP-OES），平面度測量儀，垂直度檢查儀。

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（氮化硅陶瓷片剝離強(qiáng)度實驗）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。