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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個(gè)人委托測(cè)試望見諒。

信息概要

半導(dǎo)體封裝腐蝕失效檢測(cè)是針對(duì)電子元器件封裝體因環(huán)境侵蝕導(dǎo)致的性能退化或功能喪失的專業(yè)分析服務(wù)。該檢測(cè)通過(guò)系統(tǒng)化評(píng)估封裝材料、結(jié)構(gòu)及界面在腐蝕性環(huán)境下的耐受能力，定位失效根源，對(duì)提升產(chǎn)品可靠性、優(yōu)化封裝工藝和預(yù)防批量質(zhì)量事故具有關(guān)鍵作用。早期腐蝕失效識(shí)別可避免電路短路、斷路等災(zāi)難性后果，為航空航天、汽車電子及醫(yī)療設(shè)備等高可靠性領(lǐng)域提供技術(shù)保障。

檢測(cè)項(xiàng)目

表面離子污染度檢測(cè)，評(píng)估封裝表面有害離子殘留水平。

氯離子含量測(cè)定，量化加速腐蝕的關(guān)鍵污染物濃度。

硫化物滲透深度分析，測(cè)量腐蝕介質(zhì)在材料中的擴(kuò)散程度。

金線焊點(diǎn)腐蝕形貌觀測(cè)，識(shí)別鍵合區(qū)域的電化學(xué)腐蝕特征。

塑封料吸水率測(cè)試，評(píng)估材料在潮濕環(huán)境中的吸濕性能。

錫須生長(zhǎng)監(jiān)測(cè)，分析鍍層表面金屬晶須的生長(zhǎng)風(fēng)險(xiǎn)。

電解腐蝕電位測(cè)量，確定材料發(fā)生電化學(xué)腐蝕的臨界電壓。

界面分層掃描，檢測(cè)封裝內(nèi)部材料界面的分離狀況。

腐蝕產(chǎn)物成分分析，鑒定腐蝕區(qū)域的化學(xué)組成及相結(jié)構(gòu)。

霉菌生長(zhǎng)敏感性測(cè)試，評(píng)估生物性腐蝕潛在風(fēng)險(xiǎn)。

鹽霧耐受時(shí)間測(cè)試，測(cè)定封裝在鹽霧環(huán)境下的失效時(shí)間。

電遷移失效分析，診斷金屬互連因離子遷移導(dǎo)致的短路。

氧化層完整性驗(yàn)證，檢測(cè)鈍化層或介質(zhì)層的保護(hù)性能。

引線框架鍍層附著力，評(píng)估鍍層與基材的結(jié)合強(qiáng)度。

濕氣敏感等級(jí)(MSL)認(rèn)證，確定封裝在潮濕環(huán)境中的安全等級(jí)。

熱濕循環(huán)后參數(shù)漂移，測(cè)量溫濕度交變后的電性能變化。

腐蝕開裂臨界應(yīng)力，量化材料應(yīng)力腐蝕的機(jī)械閾值。

電化學(xué)阻抗譜分析，表征材料界面腐蝕反應(yīng)的阻抗特性。

密封性氦質(zhì)譜檢漏，檢測(cè)封裝體微泄漏導(dǎo)致的濕氣侵入。

熒光染料滲透檢驗(yàn)，可視化裂紋和毛細(xì)通道的滲透路徑。

銅導(dǎo)線晶界腐蝕評(píng)級(jí)，評(píng)估晶間腐蝕對(duì)導(dǎo)線的破壞程度。

焊球界面IMC層分析，檢測(cè)焊點(diǎn)金屬間化合物的腐蝕傾向。

有機(jī)酸揮發(fā)性檢測(cè)，監(jiān)控模塑料分解產(chǎn)生的腐蝕性氣體。

陽(yáng)極溶解速率測(cè)定，量化金屬部件在電場(chǎng)下的溶解速度。

電偶腐蝕電流測(cè)量，評(píng)估異種金屬接觸時(shí)的電化學(xué)腐蝕強(qiáng)度。

硫化氫氣體腐蝕試驗(yàn)，模擬含硫環(huán)境下的失效行為。

二氧化硫加速老化，測(cè)試酸性污染氣體腐蝕的耐受性。

混合流動(dòng)氣體腐蝕，綜合評(píng)估多組分腐蝕氣體的影響。

電化學(xué)噪聲監(jiān)測(cè)，實(shí)時(shí)捕捉局部腐蝕的電流/電壓波動(dòng)。

腐蝕失效定位分析，通過(guò)EBIC或OBIRCH技術(shù)定位失效點(diǎn)。

檢測(cè)范圍

QFP, SOP, BGA, LGA, QFN, DIP, SIP, CSP, WLCSP, PLCC, TSOP, SSOP, TQFP, PGA, LCCC, DFN, SON, FBGA, PBGA, EBGA, FCBGA, MCM, COB, Flip-Chip, 3D封裝, MEMS封裝, 光電子封裝, 功率模塊封裝, 傳感器封裝, RF模塊, 晶圓級(jí)封裝, 系統(tǒng)級(jí)封裝, 倒裝芯片封裝, 引線鍵合封裝, 陶瓷封裝, 金屬封裝, 塑封封裝, 玻璃封裝

檢測(cè)方法

掃描電子顯微鏡/能譜分析(SEM/EDS)，進(jìn)行微區(qū)形貌觀察和元素成分定性定量分析。

X射線光電子能譜(XPS)，測(cè)定材料表面化學(xué)態(tài)及元素價(jià)態(tài)分布。

傅里葉紅外光譜(FTIR)，識(shí)別有機(jī)污染物及聚合物降解產(chǎn)物。

電化學(xué)工作站測(cè)試，實(shí)施極化曲線、阻抗譜等電化學(xué)表征。

鹽霧試驗(yàn)(NSS/ASS/CASS)，模擬海洋或工業(yè)環(huán)境加速腐蝕。

高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)(HAST)，在高溫高濕條件下加速失效。

溫度循環(huán)試驗(yàn)(TCT)，評(píng)估熱應(yīng)力導(dǎo)致的腐蝕疲勞特性。

氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用(GC-MS)，檢測(cè)揮發(fā)性有機(jī)腐蝕產(chǎn)物。

聚焦離子束(FIB)切片，制備微區(qū)截面樣品進(jìn)行界面分析。

顯微拉曼光譜，識(shí)別腐蝕產(chǎn)物晶體結(jié)構(gòu)及應(yīng)力分布。

原子力顯微鏡(AFM)，測(cè)量納米級(jí)腐蝕坑深度及表面粗糙度。

X射線衍射(XRD)，確定腐蝕產(chǎn)物的物相組成及結(jié)晶度。

二次離子質(zhì)譜(SIMS)，進(jìn)行痕量元素深度分布分析。

紅外熱成像，定位腐蝕導(dǎo)致的局部熱點(diǎn)及電流泄漏點(diǎn)。

聲學(xué)顯微鏡(SAT)，無(wú)損檢測(cè)內(nèi)部界面分層及空洞缺陷。

四探針電阻測(cè)試，量化金屬線路的腐蝕引起的電阻變化。

激光共聚焦顯微鏡，實(shí)現(xiàn)3D腐蝕形貌重建與深度測(cè)量。

離子色譜(IC)，精確測(cè)定可溶性陰陽(yáng)離子含量。

俄歇電子能譜(AES)，進(jìn)行亞微米級(jí)表面元素深度剖析。

電化學(xué)噪聲技術(shù)(ECN)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)局部腐蝕起始過(guò)程。

檢測(cè)儀器

掃描電子顯微鏡，X射線能譜儀，電化學(xué)工作站，鹽霧試驗(yàn)箱，高加速應(yīng)力試驗(yàn)箱，離子色譜儀，傅里葉變換紅外光譜儀，X射線光電子能譜儀，聚焦離子束系統(tǒng)，原子力顯微鏡，激光共聚焦顯微鏡，超聲波掃描顯微鏡，X射線衍射儀，氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀，二次離子質(zhì)譜儀，顯微拉曼光譜儀，四探針測(cè)試儀，紅外熱像儀，俄歇電子能譜儀，金相顯微鏡，氦質(zhì)譜檢漏儀，濕熱循環(huán)試驗(yàn)箱，熒光顯微鏡，熱重分析儀，動(dòng)態(tài)氣體腐蝕試驗(yàn)箱

實(shí)驗(yàn)儀器

測(cè)試流程

注意事項(xiàng)

1.具體的試驗(yàn)周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗(yàn)方案僅供參考，因?yàn)槊總€(gè)樣品和項(xiàng)目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗(yàn)周期一般是五個(gè)工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對(duì)于（半導(dǎo)體封裝腐蝕失效檢測(cè)）還有什么疑問(wèn)，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。