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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個人委托測試望見諒。

信息概要

藥物多晶型透射電鏡分析是通過高分辨率電子顯微鏡技術(shù)，對藥物活性成分及制劑中不同晶型結(jié)構(gòu)進(jìn)行精準(zhǔn)觀測與識別的專項服務(wù)。該檢測對藥物研發(fā)和質(zhì)量控制至關(guān)重要，直接影響藥物溶解度、生物利用度、穩(wěn)定性和專利保護(hù)策略。通過揭示亞微米級晶格排列特征、晶界狀態(tài)及晶型轉(zhuǎn)變行為，為晶型篩選、工藝優(yōu)化和仿制藥一致性評價提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐，有效避免因晶型失控導(dǎo)致的療效波動或安全隱患。

檢測項目

晶型形貌表征

觀測藥物晶體的表面幾何形態(tài)與邊緣特征。

晶粒尺寸分布統(tǒng)計

測量不同晶型顆粒的直徑及粒徑分散度。

晶格條紋分辨率

解析原子層級的晶面間距排列規(guī)律。

選區(qū)電子衍射分析

確定單晶區(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)對稱性。

多晶型混合比例定量

測定制劑中不同晶型的相對含量。

晶面取向分析

識別晶體生長過程中的優(yōu)勢晶面方向。

晶格缺陷檢測

定位位錯、層錯等晶體結(jié)構(gòu)缺陷位置。

非晶態(tài)含量測定

檢測樣品中無定型成分的比例。

晶型轉(zhuǎn)化監(jiān)控

追蹤溫濕度變化引發(fā)的晶相轉(zhuǎn)變過程。

孿晶結(jié)構(gòu)識別

鑒別晶體中的對稱孿生結(jié)構(gòu)特征。

結(jié)晶習(xí)性分析

研究溶劑體系對晶體生長形態(tài)的影響。

晶界能譜成分分析

測定晶界區(qū)域的元素分布差異。

亞穩(wěn)晶型穩(wěn)定性評估

觀察亞穩(wěn)態(tài)晶型的結(jié)構(gòu)衰變速率。

共晶結(jié)構(gòu)解析

確認(rèn)共晶藥物中分子間作用模式。

晶體表面粗糙度

量化晶體表面的納米級起伏程度。

晶型包埋效應(yīng)

分析輔料對活性成分晶型的包裹影響。

晶格應(yīng)變測量

檢測機械應(yīng)力導(dǎo)致的晶格畸變量。

多晶型界面分析

研究不同晶型接觸界面的相容性。

結(jié)晶水分布觀測

定位水合晶型中的結(jié)合水分子位置。

晶型定向生長研究

分析定向結(jié)晶技術(shù)的控制效果。

納米晶分散狀態(tài)

評估納米晶體在載體中的分散均勻性。

晶型純度驗證

確認(rèn)目標(biāo)晶型中雜質(zhì)晶型的含量限值。

溶劑化物結(jié)構(gòu)鑒定

識別溶劑分子在晶格中的結(jié)合位點。

晶型熱穩(wěn)定性

觀察升溫過程中的晶格坍塌溫度點。

晶體表面修飾分析

檢測表面改性層的覆蓋完整性。

晶型吸濕性關(guān)聯(lián)研究

建立晶型結(jié)構(gòu)與潮解行為的對應(yīng)關(guān)系。

高壓相變觀測

記錄高壓條件下的晶型轉(zhuǎn)變閾值。

表面能計算

通過晶體形貌反演表面自由能分布。

晶型各向異性

測定不同晶軸方向的物理性質(zhì)差異。

晶型-藥效關(guān)聯(lián)模型

建立晶格參數(shù)與溶出速率的數(shù)學(xué)關(guān)系。

晶型生長動力學(xué)

量化結(jié)晶過程中的晶面擴展速率。

檢測范圍

小分子化藥原料,肽類化合物,抗生素原料,甾體激素,抗癌藥物,心血管藥物,中樞神經(jīng)藥物,非甾體抗炎藥,維生素衍生物,降糖藥物,抗病毒藥物,局部麻醉藥,造影劑,生物堿,酶抑制劑,質(zhì)子泵抑制劑,免疫調(diào)節(jié)劑,抗真菌藥,抗凝血劑,支氣管擴張劑,鎮(zhèn)痛藥,利尿劑,抗組胺藥,抗抑郁藥,抗癲癇藥,胃腸調(diào)節(jié)劑,骨質(zhì)疏松治療藥,抗寄生蟲藥,皮膚用藥,吸入制劑

檢測方法

高分辨透射電鏡法(HRTEM)：獲取原子尺度晶格成像

選區(qū)電子衍射(SAED)：確定晶體結(jié)構(gòu)對稱性

暗場成像技術(shù)(DFI)：增強特定晶面衍射襯度

低劑量電子成像：保護(hù)電子束敏感樣品結(jié)構(gòu)

冷凍電鏡技術(shù)(Cryo-TEM)：觀察含水晶型原生狀態(tài)

能量過濾成像(EFTEM)：分離彈性/非彈性散射電子

電子晶體學(xué)重構(gòu)：三維晶體結(jié)構(gòu)解析

會聚束電子衍射(CBED)：測定晶格參數(shù)精度達(dá)0.1%

原位加熱臺觀測：動態(tài)記錄晶型轉(zhuǎn)變過程

原位冷凍臺觀測：捕捉低溫相變行為

電子能量損失譜(EELS)：分析輕元素晶格分布

高角度環(huán)形暗場(HAADF)：Z襯度成分成像

納米束衍射(NBD)：微區(qū)晶體結(jié)構(gòu)分析

幾何相位分析(GPA)：測量晶格應(yīng)變場

電子全息術(shù)：繪制晶界電勢分布圖

三維電子斷層成像：重構(gòu)晶體立體形貌

快速傅里葉變換(FFT)：從圖像中提取晶格周期

動態(tài)散射模擬：驗證實驗衍射花樣

晶體取向成像：繪制多晶集合體取向圖

欠焦系列成像：優(yōu)化相位襯度分辨率

檢測儀器

場發(fā)射透射電子顯微鏡,冷凍傳輸樣品桿,原位加熱樣品臺,能譜儀,電子能量損失譜儀,高分辨率CCD相機,離子減薄儀,超薄切片機,臨界點干燥儀,真空鍍膜機,低溫樣品制備系統(tǒng),電子束刻蝕裝置,納米操縱探頭,三維重構(gòu)工作站,電子衍射模擬軟件

實驗儀器

測試流程

注意事項

1.具體的試驗周期以工程師告知的為準(zhǔn)。

2.文章中的圖片或者標(biāo)準(zhǔn)以及具體的試驗方案僅供參考，因為每個樣品和項目都有所不同，所以最終以工程師告知的為準(zhǔn)。

3.關(guān)于（樣品量）的需求，最好是先咨詢我們的工程師確定，避免不必要的樣品損失。

4.加急試驗周期一般是五個工作日左右，部分樣品有所差異

5.如果對于（藥物多晶型透射電鏡分析）還有什么疑問，可以咨詢我們的工程師為您一一解答。